图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:Taiwan Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:7 A
Rds On-漏源导通电阻:1.2 Ohms
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
封装:Tube
系列:TSM
晶体管类型:Single N-Channel Power MOSFET
商标:Taiwan Semiconductor
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:50
子类别:MOSFETs